TSM70N600CH C5G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM70N600CH C5G

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM70N600CH C5G-DG

وصف:

MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

المخزون:

125 قطع جديدة أصلية في المخزون
12897411
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM70N600CH C5G المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
743 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-251 (IPAK)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
TSM70

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
TSM70N600CH C5G-DG
TSM70N600CHC5G

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM3N80CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252

nexperia

BUK6D22-30EX

MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN

diodes

BS107PSTZ

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE

taiwan-semiconductor

TSM040N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252